中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210822939.0，技术领域涉及：G11C19/08；该发明授权存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法是由邢国忠;张昊;赵雪峰;王紫崴;谢常青;刘明设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法。上述存储单元包括压电衬底层，其两端分别设有第一电极和第二电极，通过对第一电极和第二电极施加电压来实现对斯格明子的无电流驱动；磁性层，位于压电衬底层的表面，与压电衬底层形成异质结，用于生成、稳定和作为斯格明子运动的基本载体；其中，磁性层包括凸状体，该凸状体将磁性层分割为比特区和存储区，比特区内设有用以执行斯格明子的产生与探测功能的磁性隧道结。
本发明授权存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 压电衬底层，其两端分别设有第一电极和第二电极，通过对所述第一电极和所述第二电极施加电压，使所述压电衬底层在电场的作用下产生应变，该应变经异质结传递至磁性层驱动斯格明子在所述磁性层上运动，以实现对斯格明子的无电流驱动； 磁性层，位于所述压电衬底层的表面，与所述压电衬底层形成异质结，用于生成、稳定和作为斯格明子运动的基本载体； 其中，所述磁性层包括凸状体，该凸状体将所述磁性层分割为比特区和存储区，所述比特区内设有用以执行斯格明子的产生与探测功能的磁性隧道结。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励