长鑫存储技术有限公司白新获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利位线接触节点电阻的测量方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115267335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210916929.3，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权位线接触节点电阻的测量方法及设备是由白新;姜焕德设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本位线接触节点电阻的测量方法及设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种位线接触节点电阻的测量方法及设备，该方法包括：测量DRAM上位线的第一电阻；在位线连接的第一晶体管处于导通状态的情况下，测量第一通路的第二电阻，第一通路中包括：第一晶体管的节点接触、字线沟道、位线接触节点、读写位线；在位线连接的两个相邻晶体管处于导通状态的情况下，测量第二通路的第三电阻，第二通路中包括：两个相邻晶体管的字线沟道、节点接触；根据第一电阻、第二电阻和第三电阻，确定位线接触节点电阻。本公开通过多次测量以分别确定第一至第三电阻，以求解出位线接触节点电阻，位线接触节点电阻相当于从多个方程式中求解得到的，排除了位线电阻以及沟道电阻，提高了位线接触节点电阻的准确度。
本发明授权位线接触节点电阻的测量方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种位线接触节点电阻的测量方法，其特征在于，所述方法包括： 测量DRAM上位线的第一电阻； 在所述位线连接的第一晶体管处于导通状态的情况下，测量第一通路的第二电阻，所述第一通路中依次包括：所述第一晶体管的节点接触、所述第一晶体管的字线沟道、所述第一晶体管的位线接触节点、所述第一晶体管的读写位线； 在所述位线连接的两个相邻晶体管处于导通状态的情况下，测量第二通路的第三电阻，所述第二通路中包括：所述两个相邻晶体管的字线沟道、所述两个相邻晶体管的节点接触； 根据所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻，确定所述位线接触节点电阻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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