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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210472956.6，技术领域涉及：G03F1/48；该发明授权光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法是由郑珉交;金星润;孙晟熏;申仁均;崔石荣;金修衒;金圭勋;李亨周设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本实施方式涉及光掩模等，光掩模包括透光基板及多层遮光图案膜。多层遮光图案膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。多层遮光图案膜的侧面包括检测区间，检测区间对应于在多层遮光图案膜的侧面中从第一遮光膜的上表面向第一遮光膜的下表面隔开间隔的点和从第二遮光膜的下表面向第二遮光膜的上表面隔开间隔的点之间的区间。检测区间的表面粗糙度Wr满足第一式：0Wr‑Wo≤3。在第一式中，Wo为在浸泡和清洗工序之前的检测区间的表面粗糙度。Wr是为在SC‑1溶液中浸泡800秒并用臭氧水清洗之后的检测区间的表面粗糙度。SC‑1溶液是包含NH4OH、H2O2及H2O的溶液。臭氧水是使用以超纯水作为溶剂的含有20ppm臭氧的溶液。

本发明授权光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光掩模，其特征在于， 包括： 透光基板，以及 多层遮光图案膜，设置在上述透光基板上； 上述多层遮光图案膜包括： 第一遮光膜，以及 第二遮光膜，设置在上述第一遮光膜上，且包含过渡金属、氧及氮中的至少一种； 上述第一遮光膜包含35原子％至55原子％的过渡金属， 上述第二遮光膜包含55原子％至75原子％的上述过渡金属， 上述多层遮光图案膜的侧面包括检测区间，上述检测区间对应于，在上述多层遮光图案膜的侧面，从上述第一遮光膜的上表面向上述第一遮光膜的下表面隔开间隔的点和从上述第二遮光膜的下表面向上述第二遮光膜的上表面隔开间隔的点之间的区间， 上述检测区间的表面粗糙度满足下述第一式的条件， 第一式： 0nmWr-Wo≤3nm， 在上述第一式中， 上述Wo为，在浸泡和清洗工序之前的上述检测区间的表面粗糙度，其单位为nm， 上述Wr为，在标准清洁-1溶液中浸泡800秒并用臭氧水清洗之后的上述检测区间的表面粗糙度，其单位为nm， 上述标准清洁-1溶液是包含14.3重量％的NH4OH、14.3重量％的H2O2及71.4重量％的H2O的溶液， 上述臭氧水是使用超纯水作为溶剂且以重量为基准含有20ppm臭氧的溶液。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人SKC索密思株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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