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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种超结结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210806177.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种超结结构及其制造方法是由冯海浪;祝志敏设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超结结构及其制造方法，提供半导体衬底；外延生长第一N型外延层，在第一N型外延层上淀积形成一层硬质掩模层；根据光刻定义依次对硬质掩模层和第一N型外延层进行刻蚀形成沟槽；在沟槽中填充P型材料形成P型柱；去除硬质掩模层，并进行化学机械研磨工艺；在第一N型外延层表面进行外延生长第二N型外延层；根据光刻定义出超结结构的形成区域，对第二N型外延层进行P型杂质离子注入形成P型注入层；重复上述步骤直到达到设计目标要求的漂移区厚度，由多个交替排列的N型柱、P型柱、N型柱、P型注入层构成超结结构。本发明不仅降低了超结器件导通电阻，还减缓了开关过程的速度从而降低了器件在应用电路中的电磁干扰性能。

本发明授权一种超结结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、提供半导体衬底； 步骤二、外延生长第一N型外延层，在所述第一N型外延层上淀积形成一层硬质掩模层； 步骤三、根据光刻定义出超结结构的形成区域，依次对所述硬质掩模层和所述第一N型外延层进行刻蚀形成沟槽； 步骤四、在所述沟槽中填充P型材料形成P型柱； 步骤五、去除所述硬质掩模层，并进行化学机械研磨工艺； 步骤六、在所述第一N型外延层表面进行外延生长第二N型外延层，由所述第一N型外延层和所述第二N型外延层叠加形成N型外延层； 步骤七、根据光刻定义出超结结构的形成区域，对所述第二N型外延层进行P型杂质离子注入形成P型注入层； 步骤八、重复步骤二到步骤七，直到达到设计目标要求的漂移区厚度，由多个厚度方向交替排列的N型柱、P型柱、N型柱、P型注入层构成所述超结结构；最下层的N型柱由所述半导体衬底与所述P型柱之间的N型外延层组成；其他N型柱由所述P型柱与所述P型注入层之间的N型外延层组成。

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