广州诺尔光电科技有限公司亨利·H·阿达姆松获国家专利权
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龙图腾网获悉广州诺尔光电科技有限公司申请的专利斜切6°GOS衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210780445.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权斜切6°GOS衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本斜切6°GOS衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种斜切6°GOS衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法。一种斜切6°GOS衬底，包括由下至上的SiNx层、掺杂多晶硅层、蓝宝石衬底、介质堆叠层、斜切6°锗层，其中x≠0。本发明解决了III‑V族材料外延生长中存在的晶格失配大、热失配高等问题，提高了III‑V族材料外延材料的质量及以此为基础的短波红外焦平面像元等器件的响应度，降低了器件暗电流。
本发明授权斜切6°GOS衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种斜切6°GOS衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供斜切6°硅衬底； 在所述斜切6°硅衬底上依次形成低温锗层、高温锗层；所述高温锗层的生长温度为550～750℃，所述低温锗层的生长温度为350～450℃； 在所述高温锗层上形成第一介质层，得到牺牲衬底； 提供蓝宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底的正面由下至上依次形成掺杂多晶硅层、SiNx层，以及在所述蓝宝石衬底的背面形成第二介质层，得到支撑衬底；所述SiNx层的厚度为50～500nm； 以所述第一介质层和所述第二介质层为键合面，将所述牺牲衬底和所述支撑衬底键合； 然后依次去除所述斜切6°硅衬底、低温锗层以得到斜切6°锗层，所述斜切6°锗层的厚度为100～500nm； 对所述高温锗层表面进行CMP处理。
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