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龙图腾网获悉西北大学申请的专利一种超低功耗超宽带低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053875.9，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种超低功耗超宽带低噪声放大器是由齐晓斐;崔珂瑜;胡一博;孙旭涛;丁聪设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低功耗超宽带低噪声放大器在说明书摘要公布了：一种超低功耗超宽带低噪声放大器，包括依次连接的输入级放大器和输出级放大器；所述输入级放大器由输入匹配网络、MOS反馈共源结构、级联匹配网络组成；所述输出级放大器由谐振电感、MOS反馈共源结构、输出匹配网络组成。通过上述方式，本发明能够通过功耗优化技术，在保证增益和噪声等性能的情况下，大幅降低放大器的功耗，另一方面，优化降噪技术，降低噪声系数，使用交错调谐技术获得宽带平坦增益。

本发明授权一种超低功耗超宽带低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种超低功耗超宽带低噪声放大器，包括依次连接的输入级放大器100和输出级放大器200，其特征在于，输入级放大器100包括由第一电容101、第一电感102和第二电感103组成的输入匹配网络，第一晶体管104、第二晶体管105和第三晶体管106组成的MOS反馈共源结构，以及第三电感107和第二电容108组成的级间匹配网络；输出级放大器200包括第四电感201，第四晶体管202、第五晶体管203和第六晶体管204组成的MOS反馈共源结构，以及第五电感205和第三电容206组成的输出匹配网络；输入级放大器100和输出级放大器200为单层MOS管架构； 所述输入级放大器100中第一晶体管104采用共源结构；所述第二晶体管105源极与第一晶体管104栅极相连接，第二晶体管105的漏极与第一晶体管104的漏极相连接，其栅极电压为单独偏置电压；第三晶体管106源极与第一晶体管104的衬底相连接，第三晶体管106的漏极与第一晶体管104的源极相连接，其栅极与地相连接；第一电容101的一端与输入端相连接，第一电容101的另一端与第一电感102的一端相连接；第一电感102的另一端与第一晶体管104的栅极相连接；第二电感103的一端与第一晶体管104的源极相连接，第二电感103的另一端与地相连接；第三电感107的一端与第一晶体管104的漏极相连接，第三电感107的另一端与电源电压相连接；第二电容108的一端与第一晶体管104的漏极相连接，第二电容108的另一端与第四电感201相连接； 所述输出级放大器200中第四晶体管202采用共源结构；所述第五晶体管203源极与第二电容108相连接，第五晶体管203的漏极与第四晶体管的202的漏极相连接，其栅极电压为单独偏置电压；第六晶体管204源极与第四晶体管202的衬底相连接，第六晶体管204的漏极与第四晶体管202的源极相连接，其栅极与地相连接；第四电感201一端与第二电容108相连接，第四电感201的另一端与第四晶体管202的栅极相连接；第五电感205一端与第四晶体管202的漏极相连接，第五电感205的另一端与电源电压相连接；第三电容206的一端与第四晶体管202的漏极相连接，第三电容206的另一端与输出端相连接。

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