江西兆驰半导体有限公司陈万军获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030358.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权LED外延结构及其制备方法是由陈万军;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、过渡层、n型半导体层、有源层和p型半导体层，其中：所述n型半导体层包括预设周期个n型掺杂GaN层EraAlbGa1‑a‑bN层超晶格结构，每个超晶格结构中的Er组分浓度和Al组分浓度均沿远离所述过渡层的方向逐渐增大。根据本发明提出的LED外延结构，可以提高势垒高度，限制电子纵向移动，减少量子阱中的电子溢流，改善有源层中的电子空穴分布，进而提高电子空穴在有源层复合发光效率。
本发明授权LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、过渡层、n型半导体层、有源层和p型半导体层，其中： 所述n型半导体层包括预设周期个n型掺杂GaN层EraAlbGa1-a-bN层超晶格结构，每个超晶格结构中的Er组分浓度和Al组分浓度均沿远离所述过渡层的方向逐渐增大； 所述n型掺杂GaN层的n型掺杂剂为Si，其Si的掺杂浓度为2×E19atomscm3-5×E19atomscm3; 其中，在超晶格结构的EraAlbGa1-a-bN层中： 0＜a＜0.4，0＜b＜1，a+b≤1，a＜b。
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