中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所余盈荧获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115413211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110587842.1，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法是由余盈荧;巩倩;李清文设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法。所述非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜包括依次形成于碳纳米管层表面的作为缓冲层的非晶碳层以及金属层，所述碳纳米管层与非晶碳层的接触面形成第一界面，所述非晶碳层和金属层的接触面形成第二界面，所述金属层远离非晶碳层的一面为第三界面，所述第一界面、第二界面与第三界面均具有至少一个凸起结构和至少一个下凹结构。本发明通过非晶碳的选择性沉积显著优化了CNT薄膜的表面粗糙度，使得接触界面区域大大降低，降低了界面接触电阻，提升了薄膜的电导率，进而提升了金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的电磁屏蔽性能。
本发明授权非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法在权利要求书中公布了：1.一种非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜，其特征在于包括依次形成于碳纳米管层表面的作为缓冲层的非晶碳层以及金属层，所述碳纳米管层与非晶碳层的接触面形成第一界面，所述非晶碳层和金属层的接触面形成第二界面，所述金属层远离非晶碳层的一面为第三界面，所述第一界面、第二界面与第三界面均具有至少一个凸起结构和至少一个下凹结构，且所述第一界面中凸起结构和下凹结构的曲率大于第二界面中凸起结构和下凹结构的曲率，所述第二界面中凸起结构和下凹结构的曲率大于第三界面中凸起结构和下凹结构的曲率；所述第一界面中凸起结构和下凹结构形成的线条粗糙度为10.0~15.0μm；所述第二界面中凸起结构和下凹结构形成的线条粗糙度为2.0~4.0μm；所述第三界面中凸起结构和下凹结构形成的线条粗糙度为0.2~1.0μm； 其中，所述非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的电导率为1.0×105~10.5×105Sm，电磁屏蔽性能50~80dB。
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