上海华力微电子有限公司林聪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利目标基准结构的选择及基于其制备半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211128817.8，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权目标基准结构的选择及基于其制备半导体结构的方法是由林聪;徐莹;崔永华;周维设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本目标基准结构的选择及基于其制备半导体结构的方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种目标基准结构的选择方法及半导体结构的制备方法中，由于获取每个基准结构的实际特征尺寸之后，将基准结构的实际特征尺寸与预设特征尺寸关联并比较之后得到差值，如此则根据差值来获取的目标基准结构其实际特征尺寸将与预设特征尺寸差异较小，则在基于该目标基准结构在后续制备半导体结构时进行参数调整，能够使得产品的尺寸稳定，降低不良率，提升产品性能。
本发明授权目标基准结构的选择及基于其制备半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种目标基准结构的选择方法，其特征在于，包括： 提供至少两个半导体结构，每个所述半导体结构包括至少两个基准结构，至少两个所述基准结构基于同一曝光工艺制备而成且具有不同的预设特征，每个所述基准结构均具有预设特征尺寸； 获取每个所述基准结构的实际特征尺寸，将所述实际特征尺寸与所述预设特征尺寸做差以得到差值，并根据所述差值选择出目标基准结构； 其中，根据所述差值选择出目标基准结构的方法包括： 将每个所述基准结构对应的差值除以预设特征尺寸以得到差值百分比； 对位于不同所述半导体结构上，且具有相同预设特征的所述基准结构对应的差值百分比取平均以得到平均差值百分比； 对位于同一所述半导体上的至少两个所述基准结构对应的所述平均差值百分比进行排序； 选择出数值最小的所述平均差值百分比对应的所基准结构作为目标基准结构。
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