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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440813B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110608509.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙;荆学珍;张浩;郑春生设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层内形成相互分立的若干栅电极、以及至少位于栅电极顶面的覆盖结构，所述覆盖结构包括主体层、以及位于主体层侧壁面的第一侧墙；在所述第一介质层和覆盖结构上形成第二介质层；在所述第一介质层和第二介质层内形成第一导电开口；在所述第一导电开口内形成第一导电结构，所述第一导电结构上具有第二侧墙开口，所述第二侧墙开口的底部暴露出第一侧墙的至少部分顶面和第一导电结构顶面；在第二侧墙开口内的侧壁面形成第二侧墙。所述形成方法实现了刻蚀工艺的自对准，从而，提高了半导体结构的可靠性、增大了制造工艺的工艺窗口。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上相互分立的若干鳍部； 位于衬底上的隔离层，所述隔离层还位于相邻鳍部之间，所述隔离层表面低于所述鳍部顶面； 位于所述隔离层表面和鳍部暴露的表面上的第一介质层； 位于所述第一介质层内相互分立的若干栅电极，所述栅电极表面低于所述低于介质层表面，所述栅电极还位于所述隔离层上，所述栅电极横跨所述鳍部表面，相邻栅电极之间的鳍部内具有源漏掺杂区； 至少位于栅电极顶面的覆盖结构，所述覆盖结构包括主体层、以及位于主体层侧壁面的第一侧墙； 位于所述第一介质层内的第一导电开口，位于所述第一导电开口内的第一导电结构，所述第一导电结构顶面高于所述栅电极顶面且位于相邻的覆盖结构之间，所述第一导电结构顶面低于或齐平于第一侧墙顶面，所述第一导电结构与所述源漏掺杂区表面接触；所述第一导电结构的侧壁与所述第一侧墙的侧壁接触； 位于所述第一介质层和覆盖结构上的第二介质层； 位于所述第二介质层内的第二侧墙，所述第二侧墙还位于第一侧墙顶面； 位于第一介质层和第二介质层内的第二导电开口，位于所述第二导电开口内的第二导电结构，所述第二导电结构与栅电极顶面接触，所述第二导电结构位于相邻的第一侧墙之间、相邻的第二侧墙之间，并且，所述第二导电结构贯穿所述覆盖结构；所述第二导电结构的侧壁与所述第一侧墙及第二侧墙接触； 形成第一导电开口的刻蚀工艺对所述第一侧墙具有较小的刻蚀速率，但对第一介质层和第二介质层具有较大的刻蚀速率；形成第二导电开口的刻蚀工艺对于所述第二侧墙及第一侧墙具有较小的刻蚀速率，但对所述主体层及所述第二介质层具有较大的刻蚀速率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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