武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139533.9，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权显示面板是由李治福;刘广辉;戴超;艾飞;宋德伟;李壮设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种显示面板，薄膜晶体管包括：第一栅极，包括相对设置的第一侧斜面、第二侧斜面和顶面；第一栅极绝缘层，覆盖在基底、第一侧斜面、第二侧斜面和顶面上；半导体层，设置于第一栅极绝缘层上，半导体层包括第一端、第二端、以及位于第一端与第二端之间的沟道，第二端至少部分位于顶面上，沟道至少部分位于第一侧斜面上。本申请通过半导体层至少设置在第一栅极的第一侧斜面上，第一侧斜面的长度较小，使得半导体层的沟道长度较小，第一侧斜面靠近基底的一端的拐角部位处更容易形成籽晶，为第一侧斜面上的沟道由单晶粒组成提供形成条件，薄膜晶体管的沟道长度较小且包括单晶粒，提升了薄膜晶体管的迁移率。
本发明授权显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括基底和设置于所述基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 第一栅极，设置于所述基底上，所述第一栅极包括相对设置的第一侧斜面和第二侧斜面，以及夹设于所述第一侧斜面和所述第二侧斜面之间的顶面； 第一栅极绝缘层，覆盖在所述基底、所述第一侧斜面、所述第二侧斜面和所述顶面上； 半导体层，设置于所述第一栅极绝缘层上，所述半导体层包括第一端、第二端、以及位于所述第一端与所述第二端之间的沟道，所述第二端至少部分位于所述顶面上，所述沟道至少部分位于所述第一侧斜面上； 第一绝缘层，设置于所述半导体层上； 源极和漏极，设置于所述第一绝缘层上，所述源极和所述漏极中一个电连接所述第一端，另一个电连接所述第二端； 其中，所述第一栅极绝缘层对应所述基底处的厚度大于所述第一栅极绝缘层对应所述第一侧斜面处的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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