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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利半导体装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211074228.6，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体装置及其制作方法是由薛晓晨;周玉设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体装置及其制作方法。所述半导体装置包括垂向堆叠且电性联通的至少两个TSV导通结构，其中至少一个所述TSV导通结构除了具有衬底以及贯穿所述衬底的TSV导通孔外，还包括设置于相应衬底第一面的衬底接地端、形成于所述衬底第一面的第一介质层以及对应于至少一个所述TSV导通孔设置的接地环，所述接地环至少环绕相应所述TSV导通孔位于所述第一介质层中的一部分，所述接地环通过所述衬底接地端接地，所述接地环具有屏蔽所环绕的TSV导通孔的传输线路对周围的结构及电路造成的电干扰的作用，从而有助于提升半导体装置的性能。

本发明授权半导体装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括垂向堆叠且电性联通的至少两个TSV导通结构，每个所述TSV导通结构均包括衬底以及贯穿所述衬底的TSV导通孔，其中，至少一个所述TSV导通结构还包括： 衬底接地端和电子元器件，设置于相应所述衬底的第一面； 第一介质层，形成于所述衬底的第一面，所述TSV导通孔穿过至少部分所述第一介质层； 接地环，对应于至少一个所述TSV导通孔设置，所述接地环至少环绕相应所述TSV导通孔位于所述第一介质层中的一部分，所述接地环通过所述衬底接地端接地，所述电子元器件位于所述接地环外侧；以及 第一导电结构，形成于所述第一介质层中，所述第一导电结构包括第一导电层以及较所述第一导电层更远离所述衬底第一面的第一金属垫，所述第一导电层包括电隔离的连接所述TSV导通孔的第一金属区、连接所述接地环和所述衬底接地端的第二金属区以及连接所述电子元器件的第三金属区，所述第一金属区和所述第三金属区通过所述第一金属垫连接，所述第一导电结构还包括第一连接件，所述第一连接件连接所述第二金属区和所述衬底接地端，从而，所述接地环通过所述第二金属区和所述第一连接件连接所述衬底接地端。

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