南亚科技股份有限公司赖俊吉获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210215190.3，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体元件及其制备方法是由赖俊吉设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有反相器的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一栅极结构，设置在该基底上；一第一杂质区与一第二杂质区，分别设置在该栅极结构的两侧上以及在该基底中；一第一接触点，设置在该第一杂质区上并包括一第一电阻值；一第二接触点，设置在该第一杂质区上并包括一第二电阻值，该第二电阻值小于该第一接触点的该第一电阻值。该第一接触点经配置以电性耦接到一电源供应器，而第二接触点经配置以电性耦接到一信号输出。该栅极结构、该第一杂质区、该第二杂质区、该第一接触点以及该第二接触点一起配置成一反相器。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一栅极结构，设置在该基底上； 一第一杂质区与一第二杂质区，分别为在该栅极结构的两侧上以及设置在该基底中； 一第一接触点，设置在该第一杂质区上并包括一第一电阻值；以及 一第二接触点，设置在该第一杂质区上并包括一第二电阻值，该第二电阻值小于该第一接触点的该第一电阻值； 一第三接触点，设置在该第二杂质区上，并经配置以电性耦接到一接地电位； 一栅极接触点，设置在该栅极结构上，并经配置以电性耦接到一信号输出； 其中该第一接触点经配置以电性耦接到一电源供应器，而该第二接触点经配置以电性耦接到一信号输出； 其中该栅极结构、该第一杂质区、该第二杂质区、该第一接触点、该第二接触点、该第三接触点以及该栅极接触点一起配置成一反相器。
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