武汉华星光电技术有限公司宋继越获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210984757.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件及电子器件是由宋继越;艾飞;宋德伟设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及电子器件，该半导体器件包括绝缘基底、及设置于绝缘基底上的第一绝缘层和有源层，第一绝缘层形成有一凹槽，有源层设置于凹槽内，有源层包括层叠设置于绝缘基底上的第一半导体层、有源段以及第二半导体层，其中，第一半导体层在绝缘基底上的正投影与第二半导体层在绝缘基底上的正投影部分重合，从而形成一种具有垂直沟道型薄膜晶体管的半导体器件，能够大幅提高开口率，提升了半导体器件的集成度，有利于开发高PII、高刷新率产品以及实现部分IC功能。
本发明授权半导体器件及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 绝缘基底： 薄膜晶体管层，位于所述绝缘基底上，所述薄膜晶体管层包括： 第一绝缘层，设置于所述绝缘基底上，所述第一绝缘层形成有一凹槽，所述第一绝缘层包括设置于所述凹槽两侧的台阶； 有源层，设置于所述凹槽内，所述有源层包括层叠设置的第一半导体层、有源段以及第二半导体层，其中，所述第一半导体层在所述绝缘基底上的正投影与所述第二半导体层在所述绝缘基底上的正投影部分重合； 其中，所述半导体器件包括位于所述有源层远离所述绝缘基底一侧的栅极，所述栅极与所述有源层绝缘设置，所述有源层包括位于所述台阶的上表面的侧面；所述栅极至少设置于所述侧面的一侧，所述栅极在所述侧面上的正投影覆盖所述有源段。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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