上海华力微电子有限公司高得妍获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211212275.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其制造方法是由高得妍;赵春山;张武志;曹亚民;杨斌设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，应用于半导体技术领域中。具体的，在本发明提供的背照式图像传感器的制造方法中，通过调整形成在背照式图像传感器堆叠结构的顶面上的BSGND结构与背照式图像传感器堆叠结构中的像素晶圆内的像素区域pixel的距离来实现减小像素区域pixel周围的硅衬底的损伤，从而减少器件暗电流的产生，进而减少漏电现象的问题，最终实现提高暗光下的图像质量的目的。
本发明授权背照式图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一背照式图像传感器堆叠结构，所述背照式图像传感器堆叠结构包括相互键合的逻辑晶圆和内部形成有像素区域的像素晶圆，以使沿背离所述逻辑晶圆与所述像素晶圆的键合面方向的所述像素晶圆的底部，作为所述背照式图像传感器堆叠结构的顶面； 在所述背照式图像传感器堆叠结构的顶面上形成BSGND结构，并通过调整所述BSGND结构与所述像素区域之间的距离，以实现通过改变所述距离来降低所述背照式图像传感器的暗电流的目的； 其中，所述调整所述BSGND结构与所述像素区域之间的距离的步骤包括将所述BSGND结构与所述像素区域之间的距离增大到预设距离阈值，且所述预设距离阈值为25μm~250μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力微电子有限公司，其通讯地址为：201314 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励