安波福技术有限公司史新跃获国家专利权
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龙图腾网获悉安波福技术有限公司申请的专利具有寄生特征的狭槽阵列天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115579624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210993090.3,技术领域涉及:H01Q1/38;该发明授权具有寄生特征的狭槽阵列天线是由史新跃;李明鉴设计研发完成,并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有寄生特征的狭槽阵列天线在说明书摘要公布了:涉及一种说明性示例天线装置,其包括基板。基板中的多个导电构件建立了基板集成波导。多个第一狭槽在和第二狭槽5、54在基板的第一部分的外表面上。每个第二狭槽与第一狭槽中的相应一个相关联。第一狭槽和第二狭槽被构造成建立横跨由天线装置发射的辐射射束变化的辐射方向图。多个寄生干扰件包括处在基板的第二部分的外表面上的狭槽。寄生干扰件减少了由邻近天线引入的波纹效应。
本发明授权具有寄生特征的狭槽阵列天线在权利要求书中公布了:1.一种天线装置20,包括: 基板22,所述基板具有第一外层和第二外层,所述第一外层形成第一导电表面,所述第二外层形成第二导电表面; 多个导电构件26,36,46,所述多个导电构件在所述基板中,多个导电构件建立基板集成波导24,34,44,所述基板的第一部分在所述基板集成波导内,而所述基板的第二部分在所述基板集成波导外; 多个第一狭槽52,所述第一狭槽在所述基板22的第一部分的外表面51上,所述多个第一狭槽包括第一长度; 多个第二狭槽54,所述第二狭槽在所述基板22的第一部分的外表面上,多个所述第二狭槽的每一个与所述第一狭槽中的相应一个相关联,多个所述第二狭槽具有第二长度,所述第一长度L1比所述第二长度L2长,多个所述第一狭槽和多个所述第二狭槽被构造成建立辐射方向图,所述辐射方向图横跨由所述天线装置发射的辐射射束而变化;以及 多个寄生干扰件70,所述寄生干扰件中的至少第一寄生干扰件处在所述基板集成波导24,34,44的第一侧上,所述寄生干扰件中的至少第二寄生干扰件处在所述基板集成波导的相对的第二侧上,并且所述寄生干扰件中的第一寄生干扰件具有第一组狭槽,所述寄生干扰件中的第二寄生干扰件具有第二组狭槽,所述寄生干扰件70平行于所述基板集成波导,并包括以下的至少一项: 第一组中的狭槽的数量与第二组中的狭槽的数量不同;或 第一组中的狭槽的长度与第二组中的狭槽的长度不同。
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