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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利嵌入式闪存器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211369719.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权嵌入式闪存器件的制备方法是由张家瑞;李志国;徐杰;周洋;蒋辉;赵慧;弓琴琴设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式闪存器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种嵌入式闪存器件的制备方法，包括：提供一包含存储区和外围逻辑区的衬底，衬底上形成有栅氧化层、浮栅、ONO介质层、控制栅、第一氮化硅层；在存储区进行一些膜层制备的过程中，外围逻辑区的浮栅出现微笑效应；形成第二氮化硅层和光刻胶层；去除外围逻辑区上的光刻胶层；去除外围逻辑区上的第二氮化硅层、第一氮化硅层、控制栅、ONO介质层和浮栅，此时，外围逻辑区上的STI侧的栅氧化层中残留有浮栅多晶硅材料；去除外围逻辑区上残留的光刻胶层；执行快速热氧化工艺。本申请采用快速热氧化工艺将浮栅多晶硅残留与栅氧化层融为一体，消除浮栅多晶硅残留，避免了后续湿法酸槽作业后浮栅多晶硅残留出现剥落缺陷的情况。

本发明授权嵌入式闪存器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含存储区和外围逻辑区，所述衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，所述衬底上形成有堆叠的栅氧化层、浮栅、ONO介质层、控制栅、第一氮化硅层； 依次在所述存储区上形成第一侧墙结构、第二侧墙结构、隧穿氧化层、选择栅和选择栅氧化层，其中，所述第一侧墙结构位于所述第一氮化硅层中；所述第二侧墙结构位于所述控制栅和所述ONO介质层中且覆盖所述第一侧墙结构的部分侧面；所述隧穿氧化层位于所述浮栅和所述栅氧化层中且覆盖所述第二侧墙结构和所述第一侧墙结构的剩余侧面，所述隧穿氧化层呈U型；所述选择栅填充所述隧穿氧化层内侧构成的U型空间；所述选择栅氧化层覆盖所述选择栅的表面；此时，所述外围逻辑区的所述浅沟槽隔离结构两侧的所述浮栅出现微笑效应； 在所述存储区上的所述选择栅氧化层表面以及所述外围逻辑区上的所述第一氮化硅层表面依次形成第二氮化硅层和光刻胶层； 去除所述外围逻辑区上的光刻胶层； 去除所述外围逻辑区上的所述第二氮化硅层、所述第一氮化硅层、所述控制栅、所述ONO介质层和所述浮栅，此时，所述外围逻辑区上的所述浅沟槽隔离结构两侧的栅氧化层中残留有所述浮栅的多晶硅材料； 采用灰化工艺去除所述外围逻辑区上残留的光刻胶层； 对所述外围逻辑区上的所述浅沟槽隔离结构、所述栅氧化层执行湿法清洗工艺； 执行快速热氧化工艺以使所述多晶硅材料与栅氧化层融为一体。

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