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龙图腾网获悉江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司申请的专利高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115613138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211344731.9，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置是由李远田;陈俊宏设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效制备高质量碳化硅单晶生长装置，包括第一坩埚、第二坩埚和过滤部；籽晶纵向安装在第一坩埚内，且籽晶初始生长台阶端靠近第一坩埚顶壁；第二坩埚限定出原料腔，原料腔与第一坩埚内部连通；过滤部限定出容纳腔，容纳腔内设置有气氛调节件，气氛调节件包括碳框架和硅颗粒，硅颗粒内置在碳框架内部；过滤部安装在第二坩埚的出气口处，并对第二坩埚出气口形成遮挡，第二坩埚的出气口位于籽晶下方，第二坩埚内的原料升华为气体后经过滤部过滤后进入到第一坩埚内。本发明在长晶过程中能够降低籽晶初始生长台阶端的生长速率，同时能够调节碳化硅气氛中的SiC原子比，从而降低晶体初期相变发生的概率，提高晶体的品质。

本发明授权高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置在权利要求书中公布了：1.一种高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括： 生长坩埚，所述生长坩埚包括第一坩埚和第二坩埚，籽晶纵向安装在所述第一坩埚内，且籽晶初始生长台阶端靠近第一坩埚顶壁；所述第二坩埚限定出原料腔，所述原料腔与所述第一坩埚内部连通； 过滤部，所述过滤部限定出容纳腔，所述容纳腔内设置有气氛调节件，所述气氛调节件包括碳框架和硅颗粒，所述硅颗粒内置在所述碳框架内部；所述过滤部安装在所述第二坩埚的出气口处，并对所述第二坩埚出气口形成遮挡，所述第二坩埚的出气口位于籽晶下方，所述第二坩埚内的原料升华为气体后经所述过滤部过滤后进入到所述第一坩埚内； 所述第一坩埚顶壁开设有第一气流通道，用于加快气体的流速；所述第一坩埚包括气体疏散室和生长室，所述气体疏散室位于所述生长室上部，且所述气体疏散室与所述生长室连通，所述籽晶纵向安装在所述生长室内，所述第一气流通道设置在气体疏散室顶壁，所述气体疏散室的体积大于生长室的体积；所述第一坩埚连接在所述第二坩埚上方，所述第二坩埚的出气口开设在所述第二坩埚上部；所述过滤部安装在所述第二坩埚的出气口端，并向下延伸至所述第二坩埚的内侧底部。

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