意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体国际有限公司F·拉罗萨获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体国际有限公司申请的专利只能读取预定次数的非易失性存储器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115620782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210827090.6，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权只能读取预定次数的非易失性存储器设备是由F·拉罗萨;M·比尔詹设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本只能读取预定次数的非易失性存储器设备在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及只能读取预定次数的非易失性存储器设备。一种非易失性存储器设备包括存储器平面和处理器，存储器平面包括至少一个存储器区域，至少一个存储器区域包括具有两行和N列的存储器单元阵列，每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管，状态晶体管能够由被掩埋在衬底中并且包括掩埋选择栅极的竖直选择晶体管选择，每列存储器单元包括一对孪生存储器单元，对孪生存储器单元的两个选择晶体管具有公共选择栅极，处理器被配置为在该存储器区域中存储包括一连串N位的信息，使得除了该连串中的最后一位之外，连串中的当前位存储在位于同一行上和两个相邻列上的两个存储器单元中，当前位和后续位分别存储在两个孪生单元中。
本发明授权只能读取预定次数的非易失性存储器设备在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器设备，包括： 存储器平面，包括至少一个存储器区域，所述至少一个存储器区域包括具有两行和N列的存储器单元阵列， 其中每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管，所述状态晶体管能够由被掩埋在衬底中并且包括掩埋选择栅极的竖直选择晶体管选择，以及 其中每列存储器单元包括一对孪生存储器单元，所述一对孪生存储器单元的两个选择晶体管具有公共选择栅极；以及 处理器，被配置为在所述存储器区域中存储包括一连串N位的信息，使得除了所述连串中的最后一位之外，所述连串中的当前位存储在位于同一行上的两个相邻列上的两个存储器单元中，并且在所述一对孪生存储器单元的两个孪生存储器单元中分别存储当前位和后续位。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体国际有限公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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