华为数字能源技术有限公司高博获国家专利权
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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211204845.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆是由高博;焦春坤;胡飞;唐龙谷设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆，半导体器件在沟槽底部引入了沟道区，配合栅极分裂结构，为电子从外延层到第二源区提供了一条低势垒路径，使器件具有较低的第三象限开启电压，抑制了体二极管的开通，解决了双极退化问题。并且，低势垒路径具有很好的反向恢复特性，较少的反向恢复电荷使得器件的开启损耗大大降低。
本发明授权半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 外延层，所述外延层设置在所述半导体衬底上； 沟槽，所述沟槽设置于所述外延层内，所述沟槽具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁； 栅极，所述栅极设置在所述沟槽内，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极由栅绝缘膜包裹； 第一源区，所述第一源区设置于所述外延层内，且位于所述沟槽的外侧与所述第一侧壁接触； 阱区，所述阱区设置于所述外延层内，且位于所述第一源区的下方； 屏蔽区，所述屏蔽区设置于所述外延层内，所述屏蔽区位于所述沟槽的外侧且包裹所述第二侧壁并延伸至所述沟槽的底部； 第二源区，所述第二源区设置于所述外延层内，且位于所述沟槽的第二侧壁和所述屏蔽区之间； 沟道区，所述沟道区设置于所述外延层内，所述沟道区位于所述沟槽的底部和所述屏蔽区之间且与所述第二源区接触，所述沟道区与包裹所述第二栅极的栅绝缘膜接触，且所述沟道区与包裹所述第一栅极的栅绝缘膜互不接触； 源极，所述源极设置于所述外延层上，所述源极分别与所述屏蔽区、所述第一源区和所述第二源区接触； 漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底远离所述外延层的一侧。
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