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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110855630.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪涵设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上且沿衬底表面法线方向重叠的若干沟道层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围沟道层；位于栅极结构侧壁表面的外侧墙，所述外侧墙的侧壁相对于沟道层端面凹陷；位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏开口；位于相邻的沟道层之间的隔离凹槽；位于隔离凹槽内的内侧墙；位于源漏开口内的源漏掺杂层；位于隔离层上的介质层，介质层覆盖若干沟道层和栅极结构。通过对初始外侧墙进行减薄处理，使得形成的外侧墙能够暴露出牺牲层的另外两个面，进而在后续刻蚀部分牺牲层时，使得刻蚀容易能够与牺牲层的三个面进行接触，降低刻蚀的工艺难度，减少刻蚀副产物的残留，以及提升隔离凹槽的形貌。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成若干初始沟道层和若干初始牺牲层，若干所述初始沟道层和若干所述初始牺牲层沿所述衬底表面法线方向垂直间隔堆叠，且所述初始沟道层和所述初始牺牲层沿第一方向延伸，所述第一方向平行于衬底表面； 在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层的顶部表面不高于位于底层的所述初始沟道层的顶部表面； 在所述衬底上形成伪栅结构以及位于所述伪栅结构侧壁表面的初始外侧墙，所述伪栅结构沿第二方向横跨于若干所述初始沟道层和若干所述初始牺牲层上，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向平行于衬底表面； 以所述伪栅结构和所述初始外侧墙为掩膜刻蚀若干所述初始沟道层和若干所述初始牺牲层，形成源漏开口、以及若干沟道层和若干牺牲层； 在形成所述源漏开口之后，减薄所述初始外侧墙以形成外侧墙，所述外侧墙平行于第一方向的尺寸小于所述初始外侧墙平行于第一方向的尺寸； 回刻蚀所述源漏开口暴露出的部分所述牺牲层，在相邻的所述沟道层之间形成隔离凹槽； 在所述隔离凹槽内形成内侧墙； 在所述源漏开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层表面、所述内侧墙表面以及所述沟道层的端面垂直共面； 在所述隔离层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅结构、若干所述沟道层以及若干所述牺牲层，且所述介质层暴露出所述伪栅结构的顶部表面。

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