厦门三安光电有限公司曾俊凯获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利氮化物发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211251606.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权氮化物发光二极管是由曾俊凯;陈秉扬;丘建生设计研发完成，并于2021-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开一种氮化物发光二极管，所述氮化物发光二极管，包含衬底，以及依次位于所述衬底上的缓冲层，N型氮化物层、发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述电子阻挡层和P型氮化物层之间设置有P型碳原子调变层，所述P型碳原子调变层中碳原子含量高于发光层和电子阻挡层中的碳原子含量。本发明通过在电子阻挡层后设置P型碳原子调变层，C浓度提高有效费米能阶会上升，减少发光层与P型氮化物层界面处的能带扭曲，降低二维电子云区域的产生，减少电子和空穴的无效复合，降低电子溢流状况，提高LED辐射复合效率。
本发明授权氮化物发光二极管在权利要求书中公布了：1.氮化物发光二极管，包含N型氮化物层、发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其中发光层包含阱层和垒层，其特征在于：所述电子阻挡层和P型氮化物层之间设置有P型碳原子调变层，所述P型碳原子调变层中碳原子含量高于发光层和电子阻挡层中的碳原子含量；所述电子阻挡层中的碳原子含量高于发光层中碳原子含量；所述P型碳原子调变层为AlaInbGa1-a-bN，其中a≥0，b≥0，a+b≤1，所述P型碳原子调变层中碳原子含量为5×1016~1×1018Atomscm3。
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