豪夫迈·罗氏有限公司J·C·福斯特获国家专利权
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龙图腾网获悉豪夫迈·罗氏有限公司申请的专利具有无缝工作电极的纳米孔单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115698708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037726.0，技术领域涉及：G01N33/487；该发明授权具有无缝工作电极的纳米孔单元及其形成方法是由J·C·福斯特;K·A·霍纳;M·吴设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有无缝工作电极的纳米孔单元及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米孔单元，所述纳米孔单元可以包括具有无缝多孔电极和疏水性侧壁的阱。所述无缝多孔电极可以通过在由导电层岛和电介质层形成的平面电极支撑层上沉积多孔电极材料来形成。所述多孔电极材料可以形成均匀的无缝柱，并且可以在制造期间通过在所述无缝柱上沉积可选择性去除的保护层而受到保护。可以通过在保护层之上形成疏水性包层并随后将所述疏水性包层图案化来形成所述阱。可以除去所述保护层以暴露所述阱的底部处的无缝多孔电极。
本发明授权具有无缝工作电极的纳米孔单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成纳米孔单元的方法，所述方法包括： 提供装置结构，所述装置结构包括： 导电层，所述导电层设置在衬底的顶部部分上；和 互连电介质层，所述互连电介质层覆盖在所述导电层上； 去除所述互连电介质层的一部分以形成平面电极支撑表面，所述平面电极支撑表面包括所述导电层的被所述互连电介质层的剩余部分包围的暴露的岛； 在所述平面电极支撑表面上沉积多孔电极材料，以形成包括所述多孔电极材料的柱的无缝多孔电极层； 在所述无缝多孔电极层上沉积保护层； 将所述无缝多孔电极层和所述保护层图案化以形成工作电极岛； 在所述工作电极岛上沉积疏水性包层并将所述疏水性包层图案化，以形成所述纳米孔单元的阱的侧壁；以及 去除所述保护层的至少一部分，以将所述多孔电极层暴露于所述阱，其中所暴露的多孔电极层形成所述纳米孔单元的所述阱的底部壁的至少一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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