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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利静态随机存取存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110856135.8，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本静态随机存取存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种静态随机存取存储器及其形成方法，包括基底；位于基底上的若干静态随机存取存储器单元，静态随机存取存储器单元中包括若干沟道层、若干栅极结构以及若干源漏掺杂层；位于基底上的第一介质层；第一导电结构，第一导电结构与部分栅极结构以及部分源漏掺杂层电连接；共享导电结构，共享导电结构包括第二导电结构以及位于第二导电结构上的共享导电层，共享导电结构的顶部表面低于第一导电结构的顶部表面。由于共享导电结构的顶部表面低于第一导电结构的顶部表面，使得在后续形成的电源导电层具有更大的形成空间，进而增大电源导电层的工艺窗口，降低电源导电层与后续形成的第二上拉导电层之间的接触电阻，有效提升静态随机存取存储器的性能。

本发明授权静态随机存取存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的若干静态随机存取存储器单元，所述静态随机存取存储器单元中包括若干沟道层、若干栅极结构以及若干源漏掺杂层； 位于所述基底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述静态随机存取存储器单元，且暴露出所述静态随机存取存储器单元的中的若干栅极结构的顶部表面； 第一导电结构，所述第一导电结构与部分所述栅极结构以及部分所述源漏掺杂层电连接； 共享导电结构，所述共享导电结构包括第二导电结构以及位于所述第二导电结构上的共享导电层，所述第二导电结构与部分所述栅极结构以及部分所述源漏掺杂层电连接，所述共享导电结构的顶部表面低于所述第一导电结构的顶部表面； 位于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一导电结构和所述共享导电结构；其中， 所述静态随机存取存储器单元包括：第一传输晶体管、第一上拉晶体管和第一下拉晶体管； 若干所述沟道层包括：第一传输沟道层、第一上拉沟道层以及第一下拉沟道层；若干所述栅极结构包括：第一传输栅极、第一上拉栅极以及第一下拉栅极；若干所述源漏掺杂层包括：第一传输源漏掺杂层、第一上拉源漏掺杂层以及第一下拉源漏掺杂层； 所述第一传输晶体管包括：所述第一传输沟道层、横跨于所述第一传输沟道层上的第一传输栅极结构、以及位于所述第一传输栅极两侧的第一传输源漏掺杂层，所述第一传输源漏掺杂层位于所述第一传输沟道层内；所述第一上拉晶体管包括：所述第一上拉沟道层、横跨于所述第一上拉沟道层上的第一上拉栅极结构、以及位于所述第一上拉栅极两侧的第一上拉源漏掺杂层，所述第一上拉源漏掺杂层位于所述第一上拉沟道层内；所述第一下拉晶体管包括：所述第一下拉沟道层、横跨于所述第一下拉沟道层上的第一下拉栅极结构、以及位于所述第一下拉栅极两侧的第一下拉源漏掺杂层，所述第一下拉源漏掺杂层位于所述第一下拉沟道层内； 所述第一导电结构包括：位于所述第一传输栅极上的第一传输导电层、位于所述第一传输源漏掺杂层上的传输导电插塞、以及位于所述传输导电插塞上的第二传输导电层，所述第一传输导电层的顶部表面与所述第二传输导电层的顶部表面齐平。

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