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重庆大学唐明春获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115719883B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211470521.4,技术领域涉及:H01Q9/04;该发明授权一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线是由唐明春;段云露;武震天;张哲豪;易达;李梅设计研发完成,并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线在说明书摘要公布了:本申请提供一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线,包括圆形介质基板、金属地板、同轴电缆,以及设置在圆形介质基板、金属地板之间的立体倒F的馈电结构、近场寄生结构,所述近场寄生结构包括顶端金属贴片,所述顶端金属贴片上蚀刻有两个用于实现高频滤波的C型槽。本申请立体倒F的馈电结构通过近场寄生耦合原理激励所述近场寄生结构,使得天线在缩小尺寸及扩展带宽的同时实现了高通滤波特性;同时C型槽的加载使得天线在带宽扩展的同时实现带通滤波特性;本申请天线具有尺寸小、剖面低、带宽宽、增益高的特点。

本发明授权一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线在权利要求书中公布了:1.一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线,其特点在于,包括圆形介质基板1、金属地板2,以及设置在所述圆形介质基板1与金属地板2之间且与圆形介质基板1、金属地板2垂直的矩形介质基板3; 所述圆形介质基板1与矩形介质基板3之间设置有立体倒F的馈电结构4,所述馈电结构4与设置在所述金属地板2下方的同轴电缆6内导体连接,所述同轴电缆6外导体与所述金属地板2连接; 所述圆形介质基板1上还设置有近场寄生结构5,所述馈电结构4通过近场寄生耦合原理激励所述近场寄生结构5; 所述馈电结构4包括第一金属条带7、第二金属条带8、下层金属贴片9、第一金属短路柱10; 所述第一金属条带7、第二金属条带8分别印制在所述矩形介质基板3的两侧壁上,所述第一金属条带7的下端与所述同轴电缆6的内导体连接,所述第一金属条带7将电磁能量耦合到第二金属条带8上; 所述下层金属贴片9印制在所述圆形介质基板1的下表面,所述第二金属条带8的上端与所述下层金属贴片9连接; 所述第一金属短路柱10的中轴线与圆形介质基板1上下端面垂直,所述第一金属短路柱10的上端与所述下层金属贴片9连接,所述第一金属短路柱10的下端与所述金属地板2连接; 所述近场寄生结构5包括顶端金属贴片11、第二金属短路柱12; 所述顶端金属贴片11印制在所述圆形介质基板1的上表面,两个第二金属短路柱12中轴线均与圆形介质基板1上下端面垂直,且两个第二金属短路柱12关于所述圆形介质基板1的中轴线中心对称设置; 两个第二金属短路柱12的上端均与顶端金属贴片11连接,两个第二金属短路柱12的下端均与金属地板2连接; 所述顶端金属贴片11上蚀刻有两个用于实现高频滤波的C型槽13,两个C型槽13关于所述圆形介质基板1上表面的圆心中心对称设置; 所述C型槽13为椭圆形开口槽,C型槽13的总长度为高频辐射零点的半个波长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆大学,其通讯地址为:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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