买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司申请的专利碳化硅晶体生长装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115726028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211367730.6，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权碳化硅晶体生长装置及控制方法是由李远田;陈俊宏设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶体生长装置及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及控制方法，碳化硅晶体生长装置包括：石英罩；第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚具有一端敞开的生长腔，生长腔内设有用于放置籽晶的石墨托，籽晶和石墨托将生长腔分隔成第一腔室和第二腔室，第一腔室内设有防护组件，第二坩埚具有顶部敞开的第三腔室；驱动模块，驱动模块用于驱动第一坩埚绕预设直线K在第一位置和第二位置之间转动，在第一位置，第二腔室位于第一腔室的正上方，籽晶的硅面与圆形通孔相对设置且朝下；在第二位置，第二腔室与第三腔室对接连通，籽晶的碳面朝下。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，可以实现籽晶自粘贴，同时可以实现连续生长四英寸碳化硅晶体和六英寸碳化硅晶体。

本发明授权碳化硅晶体生长装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 石英罩，所述石英罩限定出容纳空间； 第一坩埚和第二坩埚，所述第一坩埚和所述第二坩埚均位于所述容纳空间内，所述第一坩埚位于所述第二坩埚的上方，所述第一坩埚具有一端敞开的生长腔，所述生长腔内设有用于放置籽晶的石墨托，所述石墨托形成为环形且中部限定出圆形通孔，所述石墨托与所述籽晶在上下方向的对应部分处设有多个通气孔，所述籽晶和所述石墨托将所述生长腔分隔成第一腔室和第二腔室，所述第一腔室内设有防护组件，所述防护组件将所述第一腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室，所述防护组件被构造成仅适于气体通过，所述第二子腔室位于所述第一子腔室的背离所述籽晶的一侧，所述第二子腔室内设有第一碳化硅粉末，所述第一碳化硅粉末的粒径为300um-1000um，所述第二坩埚具有顶部敞开的第三腔室，所述第三腔室内设有第二碳化硅粉末； 驱动模块，所述驱动模块与所述第一坩埚相连，所述驱动模块用于驱动所述第一坩埚绕预设直线K在第一位置和第二位置之间转动，在所述第一位置，所述第二腔室位于所述第一腔室的正上方，所述籽晶的硅面与所述圆形通孔相对且朝下，所述籽晶的碳面朝上；在所述第二位置，所述第二腔室位于所述第一腔室的正下方，所述第二腔室与所述第三腔室对接连通，所述籽晶的碳面朝下，所述籽晶的硅面朝上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司，其通讯地址为：221000 江苏省徐州市经济技术开发区软件园E1楼669室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。