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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁传感器和磁传感器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115734702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211041792.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁传感器和磁传感器系统是由平木哲也;牧野健三;太田尚城设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁传感器和磁传感器系统在说明书摘要公布了：磁传感器包含第1路径和第2路径、多个构造物及多个第1电极和多个第2电极。第1路径包含至少1个第1阵列。第2路径包含至少1个第2阵列。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列以在第1方向上排列的方式配置。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列各自包含以在第2方向上排列的方式配置的奇数个构造物。

本发明授权磁传感器和磁传感器系统在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于， 具备： 分别流通电流的第1路径和第2路径； 设置于所述第1路径和所述第2路径的多个构造物；和 将所述多个构造物串联连接的多个第1电极和多个第2电极， 所述第1路径包含多个第1阵列， 所述第2路径包含多个第2阵列， 所述第1路径的所述多个第1阵列和所述第2路径的所述多个第2阵列以所述第1路径的第1阵列和所述第2路径的第2阵列在第1方向上逐个交替地排列的方式配置， 所述多个第1阵列和所述多个第2阵列的各自包含所述多个构造物中的奇数个构造物，且该奇数个构造物以在第2方向上排列的方式配置， 所述奇数个构造物中的至少1个是包含磁阻效应元件的构造物， 所述多个第1电极和所述多个第2电极配置于在第3方向上彼此不同的位置，并且在所述多个第1阵列和所述多个第2阵列的各自中，在所述电流流通的方向上，第1电极和第2电极交替地逐个设置， 所述第1路径的所述多个第1阵列的各自包含位于平行于所述第2方向的一个方向的一端的第1构造物、和位于所述一个方向的相反方向的一端的第2构造物， 所述第2路径的所述多个第2阵列的各自包含位于所述一个方向的一端的第3构造物、和位于所述相反方向的一端的第4构造物， 所述第1路径的所述多个第1阵列中的在所述第1方向上隔开间隔相邻的2个第1阵列的2个所述第1构造物通过所述多个第1电极中的一个彼此连接， 所述2个第1阵列的2个所述第2构造物通过所述多个第2电极中的一个彼此连接， 所述第2路径的所述多个第2阵列中的在所述第1方向上隔开间隔相邻的2个第2阵列的2个所述第3构造物通过所述多个第2电极中的另一个彼此连接， 所述2个第2阵列的2个所述第4构造物通过所述多个第1电极中的另一个彼此连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TDK株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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