北京微密科技发展有限公司杨艳萍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京微密科技发展有限公司申请的专利GB级单次写读存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115757212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211546765.6，技术领域涉及：G06F12/14；该发明授权GB级单次写读存储器是由杨艳萍;林琦设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本GB级单次写读存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GB级单次写读存储器，用标准NAND闪存做存储介质，标准的NANDONFi作为外部接口；在外部接口上，成为只写一次，读一次的NAND存储器,每一数据页具有只写入一次，只读取一次的功能；读写以数据页面为单位，即便只读取页面的某一部分后放弃读取剩余部分，该页面也被视为读取了一次，将此页面内容清除。本发明以NAND闪存做存储介质，用具有页面读写允许表的附加控制器实现GB容量级别的仅允许一次写入，一次读出的存储器，控制效率高。
本发明授权GB级单次写读存储器在权利要求书中公布了：1.GB级单次写读存储器，其特征在于，采用标准NAND闪存做存储介质，标准的NANDONFi作为外部接口；在外部接口上，成为只写一次，读一次的NAND存储器,每一数据页具有只写入一次，只读取一次的功能；读写以数据页面为单位，即便只读取页面的某一部分后放弃读取剩余部分，该页面也被视为读取了一次，将此页面内容清除；正常使用时，当收到复位信号后，控制器将闪存中的读写锁定控制块放入控制器中，对外接口的访问进行控制；放入控制器中的读写允许表为闪存中写锁定控制块和读锁定控制块的镜像； 当外接口对一个数据页写入时，控制器检验写允许表的相应写控制字的第三位，为1则按照外接口命令写入闪存，为0则忽略该写入操作；写入时，其闪存中的控制字也被更新； 外接口读出一个数据页时，当控制器检验其读允许表的相应控制字第零位为0同时第三位为1时，完成外接口的读操作；然后若读控制位的模式为一次读，则将该页面全部置为0，达到销毁原来内容的目的，实现在存储介质上不可恢复的唯一一次正确数据读取；同时将控制器的读出控制字写入闪存，更新其读出控制字。
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