无锡华润微电子有限公司贝帮坤获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111034239.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体器件及其制备方法是由贝帮坤;金兴成;杨晓芳;马凤麟;李玉岱设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件及其制备方法，通过于相邻两个器件区之间的衬底上表面开设第一沟槽，于相邻两个器件区之间的衬底中形成第一阱区且第一阱区位于第一沟槽下方，于第一沟槽中形成第一槽隔离结构，于器件区中形成器件，实现半导体器件的制备。其中，第一阱区借助第一沟槽作为注入通道，有效地加深了注入深度，提高了器件间的隔离效果，同时可以使相邻器件区的扩散距离缩短，耗尽区减小，进一步缩减了器件面积，提高芯片集成度。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括多个器件区，所述衬底具有第一导电类型； 于相邻两个所述器件区之间的所述衬底上表面开设第一沟槽； 于相邻两个所述器件区之间的所述衬底中形成第一阱区，所述第一阱区位于所述第一沟槽下方，所述第一阱区具有第一导电类型； 于所述第一沟槽中形成第一槽隔离结构； 于所述器件区中形成器件； 其中，所述于所述器件区中形成器件，包括： 于所述器件区中形成第二阱区，所述第二阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 于所述第二阱区的上表层形成第三阱区，所述第三阱区具有第一导电类型； 其中，所述第一阱区形成过程注入的注入介质至少部分通过所述第一沟槽注入至所述衬底，所述第一阱区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度，所述第一阱区的掺杂浓度小于所述第三阱区的掺杂浓度。
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