北京大学黎明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211323483.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法是由黎明;毕然设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明分别对源漏材料和沟道材料设计，在沟道中有效地施加单轴应力，通过调节其应力大小和分布实现NP型器件驱动电流互补。同时，本发明有效提高了P型MOSFET的空穴迁移率和开态电流，垂直纳米线器件在制备工艺中能够实现源漏的分立制备，为器件特性的调节提供更大的灵活性。
本发明授权一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法，其特征在于，包括如下步骤： A.在衬底上外延分别形成NMOS和PMOS单晶材料，包括NMOS和PMOS底部源漏材料和轻掺杂沟道材料叠层；重掺杂有源区为垂直沟道纳米线晶体管下方的源端或漏端；NMOS中重掺杂有源区材料的晶格常数大于轻掺杂沟道层，PMOS中重掺杂有源区材料的晶格常数小于轻掺杂沟道层；通过晶格失配使轻掺杂沟道层内产生垂直方向上的单轴应力； B.在有源层形成NMOS和PMOS器件间隔离； C.通过图形化形成垂直沟道； D.沉积一层介质，形成底部栅隔离介质； E.沉积一层假栅材料，并图形化形成假栅图形； F.沉积一层介质，形成顶层栅隔离介质； G.对顶层栅隔离介质进行图形化，并通过外延形成的顶层源漏，NMOS中顶层源漏材料的晶格常数大于轻掺杂沟道层，PMOS中顶层源漏材料的晶格常数小于轻掺杂沟道层，同时为实现器件沟道内应力的非对称分布和对沟道应力的调控，顶层源漏材料的晶格常数与底层源漏材料的晶格常数不相同，以保证通过晶格失配对沟道层产生垂直方向上的单轴应力； H.假栅去除并形成栅氧化层和金属栅； I.形成器件各端的金属接触； J.按后端工艺完成器件集成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励