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龙图腾网获悉湖南大学;长沙半导体技术与应用创新研究院申请的专利集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211569894.7，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块是由杨鑫;刘岩超;王潇迪;许梦伟;李清;欧阳晓平设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层、绝缘层、第一铜层；绝缘层上开设有凹槽，凹槽中容纳有线圈；环形结构的高度小于凹槽高度，线圈与第二铜层之间设置有绝缘材料；功率模块还包括第一电阻、第一电容；线圈与第一电阻、第一电容相互串联在第一回路中；第二铜层上设置有第一碳化硅MOSFET芯片、第二碳化硅MOSFET芯片、第二电容，第一碳化硅MOSFET芯片具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第二碳化硅MOSFET芯片具有第二栅极、第二源极、第二漏极；第一源极与第二漏极电连接，第一漏极、第二源极之间电连接有第二电容。

本发明授权集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块在权利要求书中公布了：1.一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，所述功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层4、绝缘层3、第一铜层2； 其特征在于：所述绝缘层3上开设有朝向第二铜层4的凹槽31，所述凹槽31中容纳有形成环形结构的线圈7，所述功率模块的高度方向垂直于所述线圈7的线圈平面； 所述环形结构的高度小于所述凹槽31高度，所述线圈7与第二铜层4之间设置有绝缘材料，所述绝缘材料覆盖在线圈7上； 所述线圈7的两个连接端从凹槽31伸出，所述线圈7位于第一回路中； 所述第一回路是由线圈7和第一电阻R1串联构成的谐振电路、或者所述第一回路是由线圈7、第一电阻R1、第一电容C1串联构成的谐振电路； 所述第二铜层4上设置有第一碳化硅MOSFET芯片5、第二碳化硅MOSFET芯片6、第二电容C2，所述第一碳化硅MOSFET芯片5具有第一栅极G1、第一源极S1、第一漏极D1，所述第二碳化硅MOSFET芯片6具有第二栅极G2、第二源极S2、第二漏极D2； 所述第一源极S1与第二漏极D2电连接，所述第一漏极D1、第二源极S2之间电连接有所述第二电容C2； 所述绝缘层3的位于凹槽31内侧的部分形成凸起32； 所述第二铜层4包括第一敷铜区域9、第二敷铜区域10、第三敷铜区域12，任意两个敷铜区域之间均具有间隙，每个敷铜区域均由所述凹槽31外侧的绝缘层3的部分、所述凸起32支撑； 所述第一碳化硅MOSFET芯片5、第二碳化硅MOSFET芯片6分别对应固定在第一敷铜区域9、第二敷铜区域10上； 所述第一漏极D1、第二漏极D2分别对应与第一敷铜区域9、第二敷铜区域10电连接； 所述第一源极S1通过跨过第一敷铜区域9、第二敷铜区域10之间间隙的电连接件与第二敷铜区域10电连接，所述第二源极S2通过跨过第二敷铜区域10、第三敷铜区域12之间间隙的电连接件与第三敷铜区域12电连接； 所述第二电容C2两个电连接端分别与第一敷铜区域9、第三敷铜区域12对应电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学;长沙半导体技术与应用创新研究院，其通讯地址为：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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