长江存储科技有限责任公司贾建权获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器、三维存储器的制造方法以及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211409948.3，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权三维存储器、三维存储器的制造方法以及存储器系统是由贾建权;陈伟明;褚伟伟;王均保;李楷威;熊文豪;靳磊设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器、三维存储器的制造方法以及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器、三维存储器的制造方法以及存储器系统，该三维存储器包括：堆叠层，包括交替堆叠的第一介质层和导电层；以及沟道结构，穿过堆叠层，并包括由外向内依次设置的第二介质层和阻挡层，其中，第二介质层的介电常数大于或等于3.9。
本发明授权三维存储器、三维存储器的制造方法以及存储器系统在权利要求书中公布了：1.三维存储器，其特征在于，包括： 堆叠层，包括交替堆叠的第一介质层和导电层；以及 沟道结构，穿过所述堆叠层，并包括由外向内依次设置的第二介质层和阻挡层，其中，所述第二介质层的介电常数大于或等于3.9； 其中，所述第二介质层覆盖所述导电层沿平行于所述第一介质层的方向上的端部，所述阻挡层包括第一阻挡部分和第二阻挡部分，所述第一阻挡部分位于所述第二介质层的远离所述第一介质层的表面，所述第二阻挡部分位于所述第二介质层的远离所述导电层的表面； 其中，在平行于所述第一介质层的方向上，所述第一阻挡部分的厚度大于所述第二阻挡部分的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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