厦门半导体工业技术研发有限公司康赐俊获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利一种半导体集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211500818.0，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种半导体集成电路器件及其制造方法是由康赐俊;沈鼎瀛;邱泰玮;李武新设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件通过在进行形成侧壁层的刻蚀时，控制刻蚀次数和每次刻蚀的深度，使得侧壁层在确保覆盖住阻变层的基础上，尽量使侧壁层顶部低于所述上电极的顶部和或使所述侧壁层的底部高于所述下电极的底部，形成优化的结构。当侧壁层顶部低于所述上电极的顶部时，可形成上宽下窄的沉积空间，减少沉积介电层时所形成的孔洞；当侧壁层的底部高于所述下电极的底部时，下电极可形成上窄下宽的结构，能更好地支持阻变层和上电极，使得整个元件的结构更为稳定。如此，使得半导体集成电路器件更容易满足微缩化需求，质量更佳。
本发明授权一种半导体集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件包括至少一个阻变式存储单元，所述阻变式存储单元包括上电极、阻变层和下电极，所述上电极和所述下电极分别位于所述阻变层的上下两侧，其特征在于， 所述阻变式存储单元设置有第一侧壁层，所述第一侧壁层覆盖在所述阻变层的外侧，所述第一侧壁层的顶部低于所述上电极的顶部和或所述第一侧壁层的底部高于所述下电极的底部；其中，当所述第一侧壁层顶部低于所述上电极的顶部时，形成上宽下窄的沉积空间；当所述第一侧壁层的底部高于所述下电极的底部时，所述下电极形成上窄下宽的结构； 所述阻变式存储单元还设置有至少一个第二侧壁层，所述第二侧壁层覆盖在所述上电极的外侧。
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