中国人民解放军空军军医大学刘本源获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军空军军医大学申请的专利一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115778358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211419579.6，技术领域涉及：A61B5/0536；该发明授权一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统是由刘本源;史学涛;季振宇;付峰;杨滨;代萌;刘锐岗;徐灿华设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统，设置脑EIT系统的激励，测量电阻抗数据，确定降温段、深低温段和复温段，利用脑EIT系统同步采集单通道或多通道温度数据；将单通道或多通道温度数据与电阻抗数据进行同步处理；建立具备个体化差异的脑EIT温度补偿模型，利用同步处理后降温段的温度数据训练脑EIT温度补偿模型，计算温度补偿系数；通过采集当前时刻和参考时刻的多点温度测量数据，根据温度补偿系数修正电阻抗数据，并对温度补偿后的数据进行EIT成像，实现脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿。本发明利用受控降温的特点，实现多点测温和脑EIT的同步采集，并训练得到个体化的温度补偿系数，有效的补偿温度变化对EIT测量成像的影响。
本发明授权一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、设置脑EIT系统的激励，测量电阻抗数据，确定降温段、深低温段和复温段，利用脑EIT系统同步采集单通道或多通道温度数据； S2、将步骤S1得到的单通道或多通道温度数据与电阻抗数据进行同步处理； S3、建立具备个体化差异的脑EIT温度补偿模型，利用步骤S2同步处理后降温段的温度数据训练脑EIT温度补偿模型，计算温度补偿系数； S4、通过采集当前时刻和参考时刻的多点温度测量数据，根据步骤S3得到的温度补偿系数修正步骤S1得到的电阻抗数据，并对温度补偿后的数据进行EIT成像，实现脑电阻抗断层成像系统的自适应温度补偿。
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