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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511339.9，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法是由蔡鑫伦;高升谦设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器，包括衬底、绝缘层、第一平板层、第一波导芯层和第二波导芯层。其中，第一波导芯层包括第一波导和第一锥形波导，第一波导的一侧边与第一锥形波导的一侧边连接，且第一锥形波导和第一波导相连的侧边的宽度相同；第二波导芯层包括第二波导和第二锥形波导，第二波导的一侧边与第二锥形波导的一侧边连接，且第二锥形波导和第二波导相连的侧边的宽度相同。第一锥形波导与第二锥形波导相互反向重合；第二波导远离第二锥形波导的一侧与外接光纤进行模式匹配。第一平板层、第一波导芯层为薄膜铌酸锂材料，第二波导芯层为折射率高于绝缘层的材料或高低折射率周期性分布的材料。

本发明授权一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底1、绝缘层2、第一平板层3、第一波导芯层4和第二波导芯层5； 其中，所述第一波导芯层4包括第一波导41和第一锥形波导42，所述第一波导41的一侧边与第一锥形波导42的一侧边连接，且所述第一锥形波导42和第一波导41相连的侧边的宽度相同； 所述第二波导芯层5包括第二波导51和第二锥形波导52，所述第二波导51的一侧边与第二锥形波导52的一侧边连接，且所述第二锥形波导52和第二波导51相连的侧边的宽度相同； 所述第一锥形波导42与所述第二锥形波导52相互反向重合设置；所述第二波导51远离第二锥形波导52的一侧与外接光纤进行模式匹配； 所述绝缘层2为低折射率非金属氧化物材料或聚合物，所述第一平板层3、第一波导芯层4为薄膜铌酸锂材料，所述第二波导芯层5为折射率高于所述绝缘层2的材料或高低折射率周期性分布的材料； 所述第一平板层3的厚度小于或等于250nm；所述第一波导芯层4的厚度与所述第一平板层3的厚度相等，或与所述第一平板层3的厚度相差±100nm；所述第二波导芯层5的厚度小于或等于8μm； 所述第一锥形波导42的尖端宽度小于或等于350nm，所述第一波导41的宽度小于5μm；所述第二锥形波导52的尖端宽度小于或等于2μm；所述第二波导51的宽度小于或等于10μm； 所述第一锥形波导42与第二锥形波导52的长度相等且长度大于或等于80μm，或，所述第一锥形波导42与第二锥形波导52的长度之差的绝对值小于或等于50μm； 所述第一波导芯层4与第二波导芯层5之间设置有采用低折射率介质制成的刻蚀截止层；所述刻蚀截止层的折射率低于薄膜铌酸锂的折射率； 所述第二波导芯层5上表面覆盖有由低折射率介质材料制备的包层；所述第一波导41上表面覆盖有由低折射率介质材料制备的包层。

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