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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的测试方法及测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111055312.9，技术领域涉及：G11C29/02；该发明授权半导体结构的测试方法及测试装置是由第五天昊;楚西坤;刘东设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的测试方法及测试装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的测试方法及测试装置。半导体结构的测试方法包括如下步骤：提供存储阵列，存储阵列中包括呈阵列排布的多个存储单元、多条字线、以及多条位线，多条位线与多个感应放大器电连接；多次执行如下第一循环步骤，直至存储阵列中所有的存储单元均写满0；第一循环步骤包括：选定一条字线作为第一目标字线，并开启第一目标字线；自第一目标字线开启至延迟第一预设时间后，开启感应放大器；自第一目标字线开启至延迟第二预设时间后，关闭第一目标字线和感应放大器，并以与第一目标字线相邻的下一条字线作为下一次第一循环步骤的第一目标字线。本申请提高了字线与位线之间短路缺陷检测的准确度与检测效率。

本发明授权半导体结构的测试方法及测试装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供存储阵列，所述存储阵列中包括呈阵列排布的多个存储单元、多条沿第一方向平行排布的字线、以及多条沿第二方向平行排布的位线，多条所述位线与多个感应放大器电连接，所述第一方向与所述第二方向相交； 多次执行如下第一循环步骤，直至所述存储阵列中所有的所述存储单元均写满0； 所述第一循环步骤包括： 选定一条字线作为第一目标字线，并开启所述第一目标字线； 开启所有的所述位线，写入0至与所述第一目标字线相连的所有所述存储单元中； 自所述第一目标字线开启至延迟第一预设时间后，开启所述感应放大器； 自所述第一目标字线开启至延迟第二预设时间后，关闭所述第一目标字线和所述感应放大器，并以与所述第一目标字线相邻的下一条所述字线作为下一次第一循环步骤的第一目标字线； 读取所述存储阵列中所有的所述存储单元； 判断所有所述存储单元的读取值是否均为0，若否，则读取值不为0的所述存储单元处的所述位线和所述字线短路。

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