铠侠股份有限公司相宗史记获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及成膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115838920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210184976.3，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及成膜方法是由相宗史记设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及成膜方法在说明书摘要公布了：本实施方式的半导体制造装置具备：供基板载置的腔室；用于向腔室内供给第一处理气体的第一气体流路；用于向腔室内供给第二处理气体的第二气体流路；用于向腔室内供给第一置换气体的第一置换气体流路；对第一置换气体进行加热的置换气体加热部；用于向腔室内供给第二置换气体的第二置换气体流路；以及对第二置换气体进行冷却的置换气体冷却部。
本发明授权半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及成膜方法在权利要求书中公布了：1.一种使用了ALD或ALE法的半导体装置的制造方法，包含重复执行如下各步骤的操作， 所述各步骤具有： 向供基板载置的腔室内供给原料气体并使所述原料气体吸附于所述基板的第一步骤； 在所述第一步骤之后，向所述腔室内供给第一温度的第二置换气体并使所述原料气体脱离的第二步骤； 在所述第二步骤之后，向所述腔室内供给反应气体，使所述反应气体与所述原料气体反应并吸附于所述基板的第三步骤； 在所述第三步骤之后，向所述腔室内供给比所述第一温度、所述原料气体的温度以及所述反应气体的温度高的温度的第一置换气体并使所述反应气体脱离的第四步骤；以及 在所述第四步骤之后，向所述腔室内供给比所述第一温度、所述原料气体的温度以及所述反应气体的温度低的温度的所述第二置换气体的第五步骤， 所述第四步骤的活性化能量比所述第一步骤、所述第二步骤及所述第三步骤高，是成为限制过程的步骤。
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