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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110963300.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴铁将;朱玲欣设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：位于衬底上的栅极，栅极两侧具有源极或漏极；位于衬底上的介质层；接触结构，接触结构贯穿介质层并与源极或漏极电连接；间隔设置的第一电连接部和第二电连接部，第一电连接部与第二电连接部位于介质层顶面，第二电连接部与接触结构的部分顶面接触，第一电连接部包括堆叠设置的第一阻挡层和第一导电层，在沿源极指向漏极的方向上，第一阻挡层朝向接触结构的侧壁与接触结构间的距离为第一距离，第一导电层朝向接触结构的侧壁与接触结构间的距离为第二距离，第一距离大于第二距离。本申请实施例有利于降低半导体结构的短路风险。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底；位于部分所述衬底上的栅极，且位于所述栅极两侧的所述衬底内具有源极或漏极； 位于所述衬底上的介质层，且所述介质层覆盖所述栅极的表面； 接触结构，所述接触结构贯穿所述介质层并与所述源极或者所述漏极电连接； 相间隔设置的第一电连接部以及第二电连接部，所述第一电连接部与所述第二电连接部均位于所述介质层顶面，且所述第二电连接部还与所述接触结构的部分顶面相接触， 其中，第一电连接部包括堆叠设置的第一阻挡层以及第一导电层，在沿所述源极指向所述漏极的方向上，所述第一阻挡层朝向所述接触结构的侧壁与所述接触结构之间的距离为第一距离，所述第一导电层朝向所述接触结构的侧壁与所述接触结构之间的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离； 所述第二电连接部包括堆叠设置的第二阻挡层以及第二导电层，所述第二阻挡层与所述接触结构的部分顶面相接触；且所述接触结构顶面、所述第二阻挡层侧壁以及所述第二导电层底面围成空洞区域。

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