大连理工大学刘军山获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种柔性热电阻式温度传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115855298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211522454.6，技术领域涉及：G01K7/16；该发明授权一种柔性热电阻式温度传感器及制备方法是由刘军山;项晓禹;刘泽汉;李浩然;吴梦希设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性热电阻式温度传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种柔性热电阻式温度传感器及制备方法，属于微机电系统和微加工技术领域。所述的柔性热电阻式温度传感器由一层图形化的柔性聚合物衬底和一层传感材料薄膜组成。本发明提出的柔性热电阻式温度传感器采用的是一种图形化的柔性聚合物衬底，即将传感材料薄膜的图形化转变为柔性聚合物衬底的图形化，使得传感器的制备过程简单，避免了采用光刻等与大多数聚合物材料不兼容的加工工艺，同时显著减小了传感器的热容，有助于缩短传感器的热响应时间。
本发明授权一种柔性热电阻式温度传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性热电阻式温度传感器的制备方法，其特征在于，包括以下内容：首先，采用激光加工、光刻或者复制成型工艺对柔性聚合物衬底进行图形化，得到图形化的柔性聚合物衬底；其次，采用磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发工艺直接在图形化的柔性聚合物衬底表面沉积一层传感材料薄膜，最终得到柔性热电阻式温度传感器； 所述的柔性热电阻式温度传感器由一层图形化的柔性聚合物衬底和一层传感材料薄膜组成；所述的传感材料薄膜的厚度为10nm-1000nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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