西安紫光国芯半导体有限公司拜福君获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利一种读取数据的方法和相关设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115881180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110995088.5,技术领域涉及:G11C7/12;该发明授权一种读取数据的方法和相关设备是由拜福君;俞冰;赵善真设计研发完成,并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种读取数据的方法和相关设备在说明书摘要公布了:本申请公开了一种读取数据的方法和相关设备,应用于SFGT存储阵列,SFGT存储阵列包含真实半浮栅阵列、参考半浮栅阵列和灵敏放大器,获取第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值;获取参考半浮栅阵列中第二目标位线的第二电压变化值;控制灵敏放大器对第一电压变化值进行放大,获得第一放大电压变化值,以及对第二电压变化值进行放大,获得第二放大电压变化值;根据第一放大电压变化值以及第二放大电压变化值,读取目标真实半浮栅存储单元的目标存储值。在读取SFGT存储阵列中的存储单元内所存储的数据时,通过灵敏放大器对从存储单元读取出的信号进行放大。可以减少读取数据的过程的耗时,提高读取数据的效率。
本发明授权一种读取数据的方法和相关设备在权利要求书中公布了:1.一种读取数据的方法,其特征在于,应用于SFGT存储阵列,所述SFGT存储阵列包含真实半浮栅阵列、参考半浮栅阵列和灵敏放大器,所述方法包括: 获取第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值,其中,所述第一目标字线为所述真实半浮栅阵列所包含的多条第一字线中的一条第一字线; 获取所述参考半浮栅阵列中第二目标位线的第二电压变化值; 控制灵敏放大器对所述第一电压变化值进行放大,获得第一放大电压变化值,以及对所述第二电压变化值进行放大,获得第二放大电压变化值; 根据所述第一放大电压变化值以及所述第二放大电压变化值,读取所述目标真实半浮栅存储单元的目标存储值。
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