长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110955136.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由邵光速;肖德元;邱云松;吴敏敏设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件，包括衬底，所述方法包括：在所述衬底中形成沿第一方向延伸的多条第一沟槽；在形成有所述第一沟槽的所述衬底上形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的第一深度等于所述第二沟槽的第二深度；在所述第一沟槽与所述第二沟槽内依次形成第一绝缘层、导电层和第二绝缘层；将所述第一沟槽中的所述导电层在所述第二方向的截面上分离，形成与所述第一沟槽内两侧的侧壁连接且沿所述第一方向延伸的两条位线；在所述第一沟槽和第二沟槽内、所述导电层上，形成沿所述第二方向延伸的字线。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述半导体器件，包括衬底，所述方法包括： 在所述衬底上形成沿第一方向延伸的多条第一沟槽； 在形成有所述第一沟槽的所述衬底上形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的第一深度等于所述第二沟槽的第二深度； 在所述第一沟槽与所述第二沟槽内依次形成第一绝缘层、导电层和第二绝缘层； 将所述第一沟槽中的所述导电层在所述第二方向的截面上分离，形成与所述第一沟槽内两侧的侧壁连接且沿所述第一方向延伸的两条位线； 在所述第一沟槽和第二沟槽内、所述导电层上，形成沿所述第二方向延伸的字线。
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