迈来芯电子科技有限公司M·费斯詹斯获国家专利权
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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利磁位置传感器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115900773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211208657.8，技术领域涉及：G01D5/14；该发明授权磁位置传感器系统是由M·费斯詹斯;J-C·德波特设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁位置传感器系统在说明书摘要公布了：在第一方面中，本发明涉及用于磁目标20的磁位置传感器系统10，包括：i第一传感器50，该第一传感器50用于在第一感测区域53中测量沿方向x的第一磁场分量Bx,1以及沿与x正交的方向z的第二磁场分量Bz,1；ii第二传感器60，该第二传感器60用于在沿x方向与第一感测区域53对齐的第二感测区域63中测量沿x方向的第一磁场分量Bx,2以及沿z方向的第二磁场分量Bz,2；以及iii轴向磁化的环形磁体70，该环形磁体70布置在第一感测区域53和第二感测区域63下方，以使得环形磁体70的轴向方向71基本平行于z方向，并且在操作中，环形磁体70相对于第一感测区域53和第二感测区域63的位置是固定的。
本发明授权磁位置传感器系统在权利要求书中公布了：1.一种用于磁目标20的磁线性位置传感器系统10，包括： i.第一传感器50，所述第一传感器50用于在第一感测区域53中测量： –沿方向x的第一磁场分量Bx,1，以及 –沿与x正交的方向z的第二磁场分量Bz,1； ii.第二传感器60，所述第二传感器60用于在沿所述x方向与所述第一感测区域53对齐的第二感测区域63中测量： –沿所述x方向的第一磁场分量Bx,2，以及 –沿所述z方向的第二磁场分量Bz,2；以及 iii.轴向磁化的环形磁体70，所述环形磁体70布置在所述第一感测区域53和所述第二感测区域63下方，以使得所述环形磁体70的轴向方向71平行于所述z方向，并且在操作中，所述环形磁体70相对于所述第一感测区域53和所述第二感测区域63的位置是固定的。
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