上海兴感半导体有限公司王雄星获国家专利权
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龙图腾网获悉上海兴感半导体有限公司申请的专利倒装焊接封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211624479.7，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权倒装焊接封装结构及其形成方法是由王雄星设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装焊接封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种倒装焊接封装结构及其形成方法，所述倒装焊接封装结构包括：铜框架，所述铜框架包括相对设置的主边框架与副边框架；U型铜导线，所述U型铜导线通过其弯曲部与所述铜框架的主边框架一体成型，所述U型铜导线具有远离所述铜框架的贴合面；芯片，装载于所述铜框架远离所述U型铜导线的一侧；塑封体，所述塑封体包裹所述铜框架、所述芯片及所述U型铜导线与所述铜框架接触的一侧，并暴露所述U型铜导线的其余部分，从而所述倒装焊接封装结构通过所述贴合面与外部组件贴合并通过所述U型铜导线暴露于所述塑封体外部的部分进行散热。上述技术方案，提高了产品的可靠性及稳定性且能够使产品持续工作。
本发明授权倒装焊接封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装焊接封装结构，其特征在于，包括：铜框架，所述铜框架包括相对设置的主边框架与副边框架；U型铜导线，所述U型铜导线通过其弯曲部与所述主边框架一体成型，所述U型铜导线具有远离所述铜框架的贴合面；芯片，装载于所述铜框架远离所述U型铜导线的一侧；塑封体，所述塑封体包裹所述铜框架、所述芯片及所述U型铜导线与所述铜框架接触的一侧，并暴露所述U型铜导线的其余部分，从而所述倒装焊接封装结构通过所述贴合面与外部组件贴合并通过所述U型铜导线暴露于所述塑封体外部的部分进行散热； 所述铜框架在与所述U型铜导线的接触区域以外形成有凹槽，所述凹槽的深度为所述铜框架厚度的一半；所述凹槽内填充有绝缘树脂层，以隔绝湿气及电气； 所述副边框架具有至少一引脚，所述引脚与所述U型铜导线相对设置、且所述引脚的第一端靠近所述U型铜导线的弯曲部并内嵌于所述塑封体。
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