上海华虹宏力半导体制造有限公司许猛勇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利检查LVS文件中器件参数完整性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115964986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211557208.4，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权检查LVS文件中器件参数完整性的方法是由许猛勇;郑舒静;于明设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本检查LVS文件中器件参数完整性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种本发明检查LVS文件中器件参数完整性的方法，包括：步骤一、提取LVS文件中器件参数定义数据并存入第一寄存器。步骤二、读取参数化单元的数据并提取每个器件的在仿真工具中的仿真参数并将各器件的仿真参数都存入第二寄存器。步骤三、交叉比对第一寄存器中的器件参数定义数据和第二寄存器件中各器件的仿真参数，以确定LVS文件中所定义的器件参数的完整性。本发明不需要通过人工目视检查和基于后期的仿真结果检查，能实现快速且无遗漏的检查，能很好的适应工艺的快速迭代。
本发明授权检查LVS文件中器件参数完整性的方法在权利要求书中公布了：1.一种检查LVS文件中器件参数完整性的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提取LVS文件中器件参数定义数据并将所述器件参数定义数据存入第一寄存器； 步骤二、读取参数化单元的数据，在所述参数化单元的数据中提取每个器件在仿真工具中的仿真参数，将各所述器件的仿真参数都存入第二寄存器，使所述第二寄存器中包括了所有器件的仿真参数； 步骤三、交叉比对所述第一寄存器中的所述器件参数定义数据和所述第二寄存器件中各所述器件的仿真参数，以确定所述LVS文件中所定义的器件参数的完整性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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