京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司王青获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司申请的专利一种阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004002.6，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示装置是由王青;张有为;易志根设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。其中，阵列基板，包括基板，以及在基板上阵列排布的多个子像素和驱动各子像素的薄膜晶体管，阵列基板包括像素电极；薄膜晶体管的沟道区包含金属氧化物半导体层，像素电极为金属氧化物半导体进行导体化形成的金属氧化物导电层，薄膜晶体管的沟道区与像素电极使用同一金属氧化物半导体层图案化后形成。在本公开实施例中，可以基于同一金属氧化物半导体层，仅通过一次图案化即可形成半导体的沟道区和导电的像素电极，减少了掩膜版图案化工序，简化了工艺步骤，降低了工艺复杂度。
本发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，以及在所述基板上阵列排布的多个子像素和驱动各所述子像素的薄膜晶体管，所述阵列基板包括像素电极； 所述薄膜晶体管的沟道区包含金属氧化物半导体层，所述像素电极为金属氧化物半导体进行导体化形成的金属氧化物导电层，所述薄膜晶体管的沟道区与所述像素电极使用同一金属氧化物半导体层图案化后形成; 所述薄膜晶体管包括栅极，所述栅极位于所述沟道区与所述基板之间； 所述薄膜晶体管包括公共电极;所述公共电极至少包含所述栅极未覆盖的所述金属氧化物半导体薄膜通过导体化工艺形成的导电层；所述栅极与所述公共电极电连接； 所述薄膜晶体管包括辅助层，所述辅助层与所述公共电极通过同一个金属氧化物半导体薄膜形成，所述辅助层和所述公共电极为一体结构，所述栅极设置在所述辅助层上。
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