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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种口径宽高比任意的扁平紧缩场装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310213092.0，技术领域涉及：G01R29/10；该发明授权一种口径宽高比任意的扁平紧缩场装置是由李志平设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种口径宽高比任意的扁平紧缩场装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种口径宽高比任意的扁平紧缩场装置，该装置主要由扁平状的紧缩场口径、准直而成的扁平平面波静区和馈源组成，口径宽高比任意，推荐大于或等于2。本发明公开了任意扁平紧缩场的低频极限设计公式，低频极限由口径的类型、窄边电尺寸和宽高比共同决定。扁平反射面紧缩场推荐采用对角馈布局，可减小反射面对馈源的立体张角，降低馈源对反射面的照射电平，从而减小静区幅度锥削，提升超大型扁平化紧缩场的口径利用率达67％。扁平化的紧缩场口径，能降低紧缩场口径和屏蔽暗室的高度，能降低高精密要求反射面的自重变形，有利于超大型紧缩场的工程实现和成本控制，并保证高频性能和低频极限性能。

本发明授权一种口径宽高比任意的扁平紧缩场装置在权利要求书中公布了：1.一种口径宽高比任意的扁平紧缩场装置，其特征在于：由扁平状的紧缩场口径、准直而成的扁平平面波静区和馈源组成；所述的扁平平面波静区为馈源辐射的电磁波经反射面校正后满足特定远场测试要求的有限立体空间区域；所述的紧缩场口径的宽度和高度的尺寸比例为宽高比，所述宽高比的比例是任意数值；所述的扁平紧缩场装置采用对角馈布局，在同等焦距约束下，减小了反射面对馈源的立体张角，增加馈源波束对反射面照射的加均匀性，有利于减小平面波静区幅度锥削、提升口径利用率； 所述的扁平平面波静区的低频极限设计准则由口径类型、口径窄边电尺寸以及所述宽高比确定； 所述低频极限设计准则包括： 紧缩场反射面宽度为N×M×10，高度为M×10，M为不同类型口径窄边方向电尺寸对应的系数，其中为期望的低频极限对应大最大工作波长，N为扁平口径的宽高比;其中，在保证低频极限时，静区准平面波场的幅相波动满足静区典型指标要求：幅度≤1dB±0.5dB、相位≤±5度；不同类型口径窄边方向电尺寸对应的系数M满足： 1 而在静区典型指标约束下，能实际实现的低频极限对应的最大工作波长为： 2 其中，为不同口径类型对应的低频极限系数： 3。

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