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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利倒装发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310076627.4，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权倒装发光二极管及其制备方法是由陈思河;黄禹杰;臧雅姝;韩涛;李俊贤;吕奇孟;陈剑斌设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。

本发明授权倒装发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管，包括： 半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域，所述半导体叠层包括所述第二半导体层的部分表面和显露出所述第一半导体层的部分表面，所述第一区域包括所述第二半导体层的部分表面和显露出所述第一半导体层的部分表面，所述第二区域包括所述第二半导体层的部分表面和显露出所述第一半导体层的部分表面； 连接电极，形成在所述半导体叠层上，且经由所述第一区域和第二区域的所述第一半导体层部分表面接触； 第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，所述第一焊盘电极通过所述连接电极电连接至所述第一半导体层； 第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层； 其中，所述连接电极与所述第一区域的所述第一半导体层接触的面积小于所述连接电极与所述第二区域的所述第一半导体层接触的面积。

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