长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院尤康获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111005625.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由尤康;白杰设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；位于阵列区的存储电容单元包括：N个在平行于基底表面的方向上分布的绝缘柱；覆盖绝缘柱的顶面和侧面的下电极层；与下电极层正对的上电极层；位于上电极层与下电极层之间的电容介质层；其中，N个绝缘柱对应的下电极层或者N个绝缘柱对应的上电极层中的一者为连续膜层，另一者为分立膜层，N为大于等于2的自然数；位于电路区的晶体管，且晶体管包括位于电路区的基底内的电容控制端；电连接结构，与电容控制端电连接，且自电路区向阵列区延伸，以与相应的分立膜层相接触。本申请实施例至少可以降低制备半导体结构的工艺难度和提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构具有阵列区以及电路区，包括： 基底； 至少一个存储电容单元，所述存储电容单元位于所述阵列区，所述存储电容单元包括：N个在平行于所述基底表面的方向上分布的绝缘柱；下电极层，所述下电极层覆盖所述绝缘柱的顶面和侧面；上电极层，所述上电极层与所述下电极层正对；电容介质层，所述电容介质层位于所述上电极层与所述下电极层之间；其中，N个所述绝缘柱对应的所述下电极层或者N个所述绝缘柱对应的所述上电极层中的一者为连续膜层，另一者为分立膜层，N为大于或等于2的自然数； 晶体管，所述晶体管位于所述电路区，且所述晶体管包括位于所述电路区的所述基底内的电容控制端； 电连接结构，所述电连接结构与所述电容控制端电连接，且所述电连接结构自所述电路区向所述阵列区延伸，以与相应的所述分立膜层相接触。
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