厦门三安光电有限公司刘小亮获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116154063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310370883.4,技术领域涉及:H10H20/814;该发明授权发光二极管是由刘小亮;陈剑斌;黄敏;江宾;朱秀山;何安和;彭康伟;林素慧设计研发完成,并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管在说明书摘要公布了:本发明公开了一种发光二极管,包括:发光外延结构,包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层;电流扩展层,形成在所述第二导电型半导体层的表面,且设有所述第二导电型半导体层的一部分露出的多个第一开口部,该发光外延结构被该电流扩展层所占据的面积比例大于50%且小于95%;绝缘层,形成在所述电流扩展层上和该电流扩展层的所述第一开口部内,且设有所述电流扩展层的一部分露出的多个第二开口部,所述第二开口部与所述第一开口部错开设置;反射层,形成在所述绝缘层之上。
本发明授权发光二极管在权利要求书中公布了:1.发光二极管,其特征在于,包括: 发光外延结构,包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层,该发光外延结构具有局部缺陷区,该局部缺陷位于部分所述第二导电型半导体层上,且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构,所述台面结构露出有发光外延结构侧壁; 电流扩展层,形成在所述第二导电型半导体层的表面,且设有露出所述第二导电型半导体层的一部分的多个第一开口部; 绝缘层,形成在所述电流扩展层上和该电流扩展层的所述第一开口部内,且设有露出所述电流扩展层的一部分的至少一个第二开口部,所述第二开口部与所述第一开口部错开设置,所述第一开口部与第二开口部的数量之比介于2:1~20:1;所述绝缘层还具有露出所述第二导电型半导体层的一部分的第三开口部; 反射层,形成在所述绝缘层之上,其中一部分通过所述第二开口部与所述电流扩展层接触,另一部分通过所述第三开口部与所述第二导电型半导体层接触。
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