买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111346529.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由郭帅设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。该方法包括：提供半导体衬底，形成第一位线；半导体衬底上形成支撑层，包括堆叠的第一氧化层、第一牺牲层、第二氧化层、第二牺牲层、第三氧化层、第三牺牲层和第四氧化层；在对应第一位线的位置形成贯穿支撑层的有源柱；去除第一和第三牺牲层，形成第一沟槽；去除有源柱的周向壁，形成第一环形槽，在竖直方向，第一环形槽大于第一沟槽的尺寸；在第一环形槽中形成P型填充物；于P型填充物形成半导体氧化物层，在竖直方向，半导体氧化物层的尺寸不小于第一沟槽的且小于P型填充物的尺寸；在第一沟槽中形成字线层；去除第二牺牲层形成第二沟槽并形成漏极连接层。该方法能够缩小半导体结构尺寸。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有第一位线； 在所述半导体衬底上形成支撑层，所述支撑层包括在所述半导体衬底上依序堆叠的第一氧化层、第一牺牲层、第二氧化层、第二牺牲层、第三氧化层、第三牺牲层和第四氧化层； 在所述支撑层的对应所述第一位线的位置形成有于竖直方向上贯穿所述支撑层的有源柱； 去除所述第一牺牲层和所述第三牺牲层，分别形成第一沟槽； 自每个所述第一沟槽蚀刻去除所述有源柱的部分周向壁，形成环绕所述有源柱的第一环形槽，且在所述竖直方向上，所述第一环形槽的尺寸大于所述第一沟槽的尺寸； 在每个所述第一环形槽中形成P型填充物； 于每个所述P型填充物形成半导体氧化物层，在所述竖直方向上，所述半导体氧化物层的尺寸不小于所述第一沟槽的尺寸且小于所述P型填充物的尺寸； 在每个所述第一沟槽中形成字线层； 去除所述第二牺牲层，形成第二沟槽；以及 在所述第二沟槽中形成漏极连接层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。